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          無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng)

           

          無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng)為太陽能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(總厚度變化)TTV、翹曲及無接觸電阻率測量功能。并提供基于TCP/IP的數(shù)據(jù)傳輸接口及基于Windows的控制軟件,用以進行在線及離線數(shù)據(jù)管理功能。。



          無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng) - 產(chǎn)品特點

          使用MTI Instruments獨有的推/拉電容探針技術(shù)
          每套系統(tǒng)提供最多三個測量通道
          可進行最大、最小、平均厚度測量和TTV測量
          可進行翹曲度測量(需要3探頭)
          用激光傳感器進行線鋸方向和深度監(jiān)視(可選)
          集成數(shù)據(jù)采集和電氣控制系統(tǒng)
          為工廠測量提供快速以太網(wǎng)通訊接口,速率為每秒5片
          可增加的直線厚度掃描數(shù)量
          與現(xiàn)有的硅片處理設(shè)備有數(shù)字I/O接口
          基于Windows的控制軟件提供離線和在線的數(shù)據(jù)監(jiān)控
          提供標(biāo)準(zhǔn)及客戶定制的探頭
          提供基于Windows的動態(tài)鏈接庫用于與控制電腦集成
          用渦電流法測量硅片電阻率



          無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng) - 技術(shù)指標(biāo)

          晶圓硅片測試尺寸:50mm- 300mm.
          厚度測試范圍:1.7mm,可擴展到2.5mm.
          測厚度測試精度:+/-0.25um
          厚度重復(fù)性精度:0.050um
          測量點直徑:8mm
           TTV 測試精度:  +/-0.05um
          TTV重復(fù)性精度: 0.050um
          彎曲度測試范圍: +/-500um [+/-850um]                                           
          彎曲度測試精度: +/-2.0um
          彎曲度重復(fù)性精度: 0.750um
          電阻率測量范圍:5-2000ohm/sq(0.1-40ohm-cm)
          電阻率測量精度:2%
          電阻率測量重復(fù)精度:1%
          晶圓硅片類型:單晶或多晶硅
          材料:Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料
          可用在:切片后、磨片前、后,蝕刻,拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測等
          平面/缺口:所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口
          硅片安裝:裸片,藍(lán)寶石/石英基底,黏膠帶
          連續(xù)5點測量




          無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng) - 應(yīng)用范圍

          切片
          線鋸設(shè)置
          厚度
          總厚度變化TTV
           監(jiān)測:導(dǎo)線槽、刀片更換
          TTV重復(fù)性精度: 0.050um
            磨片/刻蝕和拋光                                      
          過程監(jiān)控
          總厚度變化TTV
          材料去除率
          彎曲度
          翹曲度
          平整度
          研磨
          材料去除率
          最終檢測
          硅抽檢或全檢
          終檢厚度




          無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng) - 典型客戶

          美國,歐洲,亞洲及國內(nèi)太陽能及半導(dǎo)體客戶。


           

           

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